21世纪经济报道见习记者 陈归辞 上海报道
本轮人工智能浪潮推动AI芯片需求急剧增长，先进封装作为“后摩尔时代”提升芯片性能的关键技术路径，正被进一步推至半导体行业的前沿。
台积电的CoWoS先进封装技术是当前AI及高性能芯片厂商的主流选择。英伟达的A100和H100、AMD的MI300等高端芯片均采用了该项技术。
由于需求激增，CoWos产能自2023年起面临持续紧缺。台积电总裁魏哲家今年7月表示CoWoS需求“非常强劲”，台积电将在2024年和2025年均实现产能至少翻倍，但至2026年前仍将无法满足客户需求。
据市场研究机构Yole Group，先进封装行业的市场规模在2023年达到378亿美元，预计到2029年将达到891亿美元，2023年到2029年的复合增长率为11%。包括台积电、英特尔、三星、日月光、安靠、长电科技等OSAT厂商在内的行业巨头，都在大力投资高端先进封装产能，预计2024年将为其先进封装业务投资约115亿美元。
人工智能浪潮无疑为先进封装行业带来了新的强劲动力。而先进封装技术的发展也能为消费电子、高性能计算、数据存储、汽车电子、通信等诸多领域的发展提供支持。
正因如此，先进封装领域如今备受资本与产业的瞩目。众多企业如今纷纷入局先进封装，技术创新与迭代异常活跃。在芯片国产化、人工智能竞赛的背景下，中国大陆在这一领域能否取胜也备受关注。
当前先进封装领域的趋势如何？中国大陆企业能否把握机遇，有力迎击挑战？
2.5D/3D封装增速最快
2010年前后，随着摩尔定律的放缓，半导体行业的焦点开始逐渐从先进制程转向先进封装。在由ChatGPT掀起的人工智能浪潮中，高端芯片的需求激增，先进封装技术的重要性由此进一步凸显，行业趋势也发生了新的变化。
在技术发展方向上，封装技术由“传统封装”演进至“先进封装”，总体不断朝向高引脚、高集成和高互联的方向发展。“先进封装”如今通常指倒装封装（FC）、晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D封装、系统级封装（SiP）等封装技术。
但“先进”也是相对的。当下，业界似乎更倾向于视2.5D/3D封装为“先进封装”的代表。CoWoS封装技术便属此列。
“先进封装是一个相对的概念，随着技术的发展，它的内涵会发生变化。从引线框架、引线键合，到发展出倒装封装，再到晶圆级封装，然后到2.5D/3D封装——现在2.5D/3D封装乃至3.5D封装几乎被视为‘先进封装’的代名词。”华封科技董事长王宏波近日在海通证券举办的2024上海先导产业大会上表示。
的确，2.5D/3D封装当下似乎成为“兵家必争之地”。台积电、三星、英特尔、日月光、安靠、长电科技等半导体厂商都在2.5D/3D封装技术上积极投入和扩产，引发激烈的角逐。
据Yole Group，在所有封装平台中，2.5D/3D封装的增长速度最快。AI数据中心处理器的2.5D/3D出货量预计将强劲增长， 2023年到2029年复合增长率为23%。
扇出型面板级封装、玻璃基板封装崭露头角
值得注意的是，先进封装并非仅仅局限于服务高端芯片，“降本”也是它的一个重要发展方向。
王宏波指出：“业内对先进封装有一个先入为主的认识，认为先进封装一定是用于高端芯片的。这是因为先进封装原来的成本较高，所以只有高端芯片才用得起。但从工艺角度来说，先进封装其实并不局限于在高端芯片上使用。比如像最新涌现出的板级封装、玻璃基板封装等先进封装技术，成本很低，可以为降本服务。”
扇出型面板级封装和玻璃基板封装正成为先进封装的另外两个很具潜力的方向。
扇出型面板级封装（FOPLP）是一种兼顾性能和成本的先进封装方案。它在晶圆级封装技术（WLP）的基础上，将芯片分布在大尺寸面板上通过扇出布线互连，随着基板面积提升能够实现芯片制造成本下降。相较传统封装具有产效高、成本低的优势。
FOPLP最初主要用于移动应用，近年来已经逐渐应用于汽车芯片、人工智能、5G、服务器等。
但总体来说，FOPLP的发展还处于起步阶段，面临面板翘曲影响精度和良率、散热、产能等问题的挑战。台积电已宣布成立FOPLP团队，并规划建立小量产线。英伟达也表示最快将于2026年引入FOPLP。大陆方面，目前，奕成科技建成的大陆首座高端板级封测项目已投产，华润微、盛美上海和华天科技等头部半导体企业也已入局FOPLP。
在先进封装的材料革新上，开发玻璃基板以取代传统有机基板由英特尔率先发起，英特尔在该方面的探索已有约十年。今年，由于英伟达、三星、AMD、苹果等半导体大厂均对玻璃基板表示出浓厚兴趣，玻璃基板因此备受市场关注。
由于玻璃基板可在单个较小尺寸封装内配置更多裸片，并可提高光刻的焦深从而确保制造的精密性和准确性，它被视为下一代半导体封装材料。
王宏波表示，玻璃基板封装目前正处于“量产前夜”，玻璃基板封装将一方面用于高端AI芯片，另一方面由于其价格较传统封装材料低很多，也将有助于产品降本。
据悉，英特尔已宣布计划在2026年至2030年间实现玻璃基板量产。大陆方面，目前已有华天科技、雷曼光电、沃格光电等公司布局玻璃基板。
前道、后道企业涌入先进封装
前道与后道制程界限模糊，前道与后道众多企业涌入是先进封装领域呈现的另一个趋势。
“先进封装”处于前道晶圆制造与后道封装测试的交叉地带。有别于传统的后道封测工艺，先进封装的关键工艺需要在前道平台上完成，是前道工序的延伸。例如，2.5D/3D 封装中的关键技术硅通孔技术（TSV），需要在前道晶圆制造阶段进行通孔的刻蚀和填充，该项技术所需要的设备也与前道工艺存在重合。因此，前道与后道之间的界限变得模糊。
由于先进封装技术与晶圆制造技术存在相当程度的协同性和关联性，更由于AI浪潮带动了先进封装的巨大市场，国内外晶圆代工厂与集成设备制造商纷纷入局或加码先进封装。
后道封装测试厂商同样不愿错失良机，下游应用市场对先进封装需求的增长以及降本增效的需求，促使OSAT也在先进封装领域加码布局。
另外值得一提的是，先进封装热潮也给半导体设备企业和材料企业带来了新的发展动力。相关行业的格局可能将发生变化，企业需努力迎接挑战。
王宏波表示，如今玻璃封装正在崭露头角，如果这项工艺普及，由于它的成本比原来的基板和载板低很多，将给原来的基板企业和载板企业带来巨大冲击。将来可能会有另一拨公司跨界进入到先进封装领域发展。
能否挑战台积电？
台积电目前是先进封装领域的最强引领者，但全球各大其他半导体头部公司也在这一领域倾尽全力展开竞逐，技术创新与迭代频频不断，竞争态势异常激烈。
对中国大陆半导体产业而言，由于大陆多年来在半导体行业末端的封测领域占据重要地位，全球排名前十的封测厂商中，大陆就占有三席。因此，中国大陆得以在先进封装领域与境外站在同一起点展开竞逐。同时，在芯片国产化、人工智能竞赛的大背景下，中国大陆企业在先进封装这一芯片制造的关键技术领域的发展，也因此更加被寄予厚望。
王宏波认为，在先进封装领域，中国大陆与境外竞争对手相比，在某些方面处于绝对领先地位，在某些方面处于努力追赶的状态。比如，在晶圆级封装方面，中国大陆企业是领先的。而在如CoWoS技术上，中国大陆企业仍需继续紧跟。“台积电的产能瓶颈会持续到2025年年底，但到2026年它的产能就会得到释放，同时，下一代CoWos技术会出现，先进封装技术将再被带上一个台阶。”
中国大陆企业能否在先进封装领域取得长足发展，有赖于全产业链的协同努力。如陛通半导体董事长宋维聪在上述会议上所言：“先进封装是半导体全产业竞争和发展的重要组成部分，需要先进工艺、先进设备、先进材料和EDA（电子设计自动化）等多方面的协同发展。目前，国内企业在先进封装领域既面临一些挑战，也拥有很多机遇，需要全产业链共同努力，实现突破。”
先进封装市场恐生变
近日，有台湾地区媒体报道，台积电已将2.5D封装技术CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）业务的部分流程（On Substrate，简称oS）外包给了OSAT厂商，主要集中在小批量定制产品方面。 而类似的合作模式预计将在未来的3D IC封装中继续存在。
CoWoS技术先将芯片通过Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板连接（oS）。
台积电拥有高度自动化的晶圆级封装技术，而oS流程无法实现自动化的部分较多，需要更多人力，而日月光（ASE）、矽品、安靠（Amkor）等顶尖OSAT厂商在oS流程处理方面的经验更多。
在过去几年里，台积电已经陆续将部分封装业务的oS流程外包给了上述OSAT厂商，包括使用FOWLP和InFO封装工艺的HPC芯片。
消息人士称，在封装业务方面，台积电最赚钱的是晶圆级SiP技术，如CoW和WoW，其次是FOWLP和InFO，而oS的利润最低。 由于异构芯片集成需求显著增长，预计台积电会将更多的低利润封装业务交给OSAT。
无论以上消息是否属实，在制程工艺进步艰难的当下，先进封装的重要性愈加凸出，而台积电作为领先企业，其先进制程和封装高度融合能力将引领今后几年的芯片封装市场，相应举动对市场格局也会产生影响。
先进封装市场快速升温
Yole预测，2017~2022 年，全球先进封装技术：2.5D&3D，Fan-out，Flip-Chip的收入年复合增长率分别为28%、36%和8%，而同期全球封测行业收入年复合增长率为3.5%，明显领先于传统封装市场。 2021年，OSAT厂商将花费不低于67亿美元用于先进封装的技术研发、设备采购和基础设施建设。 此外，不只是OSAT，台积电和英特尔也在先进封装上花费巨大。
在这场竞赛中，最抢眼的有5家企业，分别是日月光、台积电、英特尔、Amkor和江苏长电（JCET）。 其中，台积电计划在2021年斥资25亿至28亿美元，以基于其 InFO、CoWoS 和 SoIC 的产品线来建设封装厂。 Yole估计，台积电在2020年从先进封装中获得了36亿美元的营收。
另外，OSAT霸主日月光宣布，将向其晶圆级封装业务投入20亿美元；英特尔则宣布，将在美国亚利桑那州投资200亿美元建设晶圆厂，并扩大其在亚利桑那州和俄勒冈州工厂的Foveros/EMIB封装业务，此外，还将投资先进封装的合作项目，这方面的合作对象主要是台积电。
先进封测技术可以提高封装效率、降低成本、提供更好的性价比。 目前来看，先进封装主要包括倒装（Flip Chip）、凸块（Bumping）、晶圆级封装（Wafer level package）、2.5D封装、3D封装（TSV）等技术。 先进封装在诞生之初只有WLP、2.5D和3D这几种，近年来，先进封装向各个方向快速发展，而每个开发相关技术的公司都将自己的技术独立命名，如台积电的InFO、CoWoS，日月光的FoCoS，Amkor的SLIM、SWIFT等。
在中国大陆地区，2015年以前，只有长电 科技 能够跻身全球前十，而在2017年，三家封测企业营收分别增长 25%、28%、42%。 长电 科技 一跃成为全球OSAT行业中收入的第3名。
在技术储备方面， 在大陆三大龙头封测企业当中，长电 科技 的先进封装技术优势最为突出。 据悉，其掌握了Fan-out eWLB（embedded wafer level BGA），WLCSP（wafer-level chip scale packaging），SiP，Bumping，PoP（package on package）等高端封装技术。
5G需求最强烈
随着手机越来越轻薄，在有限的空间里要塞入更多组件，这就要求芯片的制造技术和封装技术都要更先进才能满足市场需求。 特别是在5G领域，要用到MIMO技术，天线数量和射频前端（RFFE）组件（PA、射频开关、收发器等）的数量大增，而这正是先进封装技术大显身手的时候。
目前来看，SiP技术已经发展到了一个较为成熟的阶段，由于SoC良率提升难度较大。 为了满足多芯片互联、低功耗、低成本、小尺寸的需求，SIP是一个不错的选择。 SiP从封装的角度出发，将多种功能芯片，如处理器、存储器等集成在一个封装模块内，成本相对于SoC大幅度降低。 另外，晶圆制造工艺已经来到7nm时代，后续还会往5nm、3nm挑战，但伴随而来的是工艺难度将会急剧上升，芯片级系统集成的难度越来越大。 SIP给芯片集成提供了一个既满足性能需求又能减少尺寸的解决方案。
而为了满足5G的需求，在SiP的基础上，封装技术还在演进。 通过更先进的封装技术，可解决产品尺寸过大、耗电及散热等问题，并利用封装方式将天线埋入终端产品，以提升传输速度。
以5G手机为例，应用讲究轻薄短小、传输快速，且整体效能取决于核心的应用处理器（AP）芯片，而随着5G高频波段的启用，负责传输信号的射频前端（RFFE）和天线设计也越来越复杂，需要先进封装技术的支持。
竞争加剧
近几年，虽然排名前十的厂商一直未有大的变化，但是它们之间的竞争激烈程度与日俱增，特别是市场对先进封装技术的需求量快速增长，这也逐渐成为了优秀封测企业的试金石。 不仅是传统的OSAT封测企业，近些年，一些IDM和晶圆代工厂也在企业内部大力发展封测业务，以提升其生产效率和自主能力，而且，这些企业研发的一般都是先进的封测技术。 在这类企业中，典型代表就是台积电、三星和英特尔。
如台积电的InFO（Integrated Fan-Out），就是其标志性技术。 另外还有CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）封装技术。 该技术是为解决能耗问题而发展出的2.5D封装解决方案。 此外，台积电还在研发和推广其3D封装技术——SoIC。
近些年，为了提升综合竞争力，三星也在发展先进封装技术，但与台积电相比还是有差距。 代表技术是“面板级扇出型封装”FOPLP)，FOPLP是将输入/输出端子电线转移至半导体芯片外部，提高性能的同时，也能降低生产成本。
英特尔自研的先进封装技术是EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）2D封装 和 Foveros 3D封装。 此外，还有用于以上封装的先进芯片互连技术，包括Co-EMIB、ODI和MDIO。
有了IDM和晶圆代工厂的加入，封测业的竞争或许将更加激烈，在多方势力的竞逐下，在不久的将来，不知道传统OSAT封测企业的格局是否会被打破。
先进制程工艺对封装提出了更高要求，或者说，先进封装在一定程度上可以弥补制程工艺的不足。 因此，最近几年，台积电和三星不断在3D先进封装技术方面加大投入，争取把更多的先进技术掌握在自己手中。
在台积电2021 线上技术研讨会期间，该公司披露了3DFabric系统整合解决方案，并将持续扩展由三维硅堆栈及先进封装技术组成的3DFabric。
台积电指出，针对高性能运算应用，将于2021年提供更大的光罩尺寸，以支持整合型扇出暨封装基板（InFO_oS）和CoWoSR封装方案，运用范围更大的布局规划来整合chiplet及高带宽内存。
此外，系统整合芯片方面，芯片堆栈于晶圆之上的版本预计今年完成7nm的验证，并于2022年在崭新的全自动化晶圆厂开始生产。
针对移动应用，台积电则推出了InFO_B解决方案，将移动处理器整合于轻薄精巧的封装之中，提供强化的性能和功耗效率，并且支持移动设备芯片制造厂商封装时所需的动态随机存取内存堆栈。
台积电还将先进封装的业务拓展到了日本，这也需要一笔可观的投资。 日本经产省表示，台积电将在日本茨城县筑波市设立研发据点，总经费约370亿日元，日本政府将出资总经费约5成予以支持。 据悉，拥有领先封装技术的日本企业Ibiden、半导体装置厂商芝浦机械（Shibaura Machine ）等与半导体有关的约20家日本企业有望参与研发，重点就是“小芯片”和3D封装技术。
三星研发的3D封装技术为X-Cube，该技术利用TSV封装，可让多个芯片进行堆叠，制造出单一的逻辑芯片。
三星在7nm制程的测试过程中，利用TSV 技术将SRAM 堆叠在逻辑芯片顶部，这也使得在电路板的配置上，可在更小的面积上装载更多的存储单元。 X-Cube还有诸多优点，如芯片间的信号传递距离更短，以及将数据传送、能量效率提升到最高。
三星表示，X-Cube可让芯片工程师在进行定制化解决方案的设计过程中，能享有更多弹性，也更贴近他们的特殊需求。
2020年至今，日月光在先进封装研发方面取得了多项成果，具体包括：覆晶封装方面，实现了7nm/10nm芯片制程技术认证，14nm/16nm铜制程/超低介电芯片覆晶封装应用、银合金线于混合式覆晶球格阵列式封装技术；焊线封装方面，开发了第二代先进整合组件内埋封装技术、超细间距与线径铜/金焊线技术，移动式存储技术、晶圆级扇出式RDL 打线封装；晶圆级封装方面，有扇出型30um芯片厚度研磨前切割技术、8 Hi HBM CPD晶圆高精准度(+/-2um)研磨技术、晶圆穿导孔、玻璃基板封装、晶圆级芯片尺寸六面保护封装技术开发、扇出型PoP芯片产品开发、晶粒贴合晶圆制程技术；先进封装与模组方面，开发了低功耗天线设计与封装技术、可弯曲基板及封装技术、双面薄化无线通讯模组技术、5G天线封装等；面板级封装方面，开发了扇出型动态补偿光罩之面板级封装技术。
在此基础上，日月光将在2021年持续扩大先进制程与产能规模，特别是在5G、SiP、感应器、车用电子及智能型装置方面，会进一步加大投入力度。 此外，预计多芯片及感应器相关需求会增加。
结语
封装对于提升芯片整体性能越来越重要，随着先进封装朝着小型化和集成化的方向发展，技术壁垒不断提高。 未来，先进封装市场规模有望快速提升，技术领先的龙头厂商则会享受最大红利。
晶圆 集成电路 设备汽车 芯片 存储 台积电 AI 封装
半导体市场和环境趋势都在变化，谁该恐慌？eimkt
缺芯少屏”一直是我国制造业的软肋，去年发生的中兴事件直接为我们上了一节生动的半导体行业知识普及课。 芯片属于半导体行业，在我们日常生活中扮演着重要的角色，从通讯到计算机，生活应用广泛。 在全球制造业领域，半导体制造却由于高门槛而让大多数人望而却步。 即使如制造业大国的我国，每年也都需要从国外大量进口，且金额不断增长。 目前，全球半导体行业主要由美国、韩国以及中国台湾领导。 由于是后进国家，我国每年在半导体行业投下大量资金，而且经费不断上升，但依旧扮演着新进追赶者的角色，与国际领先技术依然存在代差。 虽然道阻且长，但产业升级，由制造业大国向制造业强国转变，半导体行业是必须跨过的坎。 经过多年发展，我国已经在芯片设计、封测等领域取得一定成绩。 未来我国将持续投入，在国家大基金的护航下，国内半导体行业有望进一步发展。 预测2019年中国半导体行业市场规模将突破2万亿随着半导体行业的快速发展，应用场景不断扩展，嵌入到从汽车等各类产品中，同时伴随着人工智能、虚拟现实和物联网等新兴技术的出现，半导体的市场需求不断扩大。 据前瞻产业研究院发布的《中国半导体产业战略规划和企业战略咨询报告》统计数据显示，2013年中国半导体行业市场规模已达亿元，同比增长7.5%。 到了2016年中国半导体行业市场规模中国半导体行业市场规模突破1.5万亿元。 截止至2017年中国半导体行业市场规模增长至亿元，同比增长11.4%。 伴随着中国集成电路设计、制造、封装等产业在国家政策支持下持续增长，初步测算2018年中国半导体行业市场规模接近1.9万亿元左右。 预测2019年中国半导体行业市场规模将突破2万亿元，达到了亿元，同比增长12.1%。 对于国外领先的技术，我国的半导体行业相对优势有哪些?未来在哪些领域可以有所突破?@李泽铭-Alan(红蚁资本基金经理，拥有近10年专业投资经验，擅长在恶劣投资环境有效管理风险并逆市突围)：半导体行业大致可分为上游的原材料采购加工、中游的集成电路设计、制造和封测，以及下游各种消费产品。 其中的芯片制造是核心的环节，前端的芯片设计和后端的封装测试，中国已经具备世界领先的水平，华为和长电科技分别为该两个领域的代表企业。 中国凭借早期的人口红利，包揽了世界大部分工业产品的代工。 封装测试的技术门槛并不特别高，所拼的是成本，中国企业在这方面的技术累积深厚，也具有规模效应，临近下游(各电子消费品的生产都集中在中国)，众多优势在将来也难以被其他区域所超越。 唯独晶圆制造是中国较为逊色一项，中芯国际的集成电路制造工艺虽已堪称国内第一，但普遍认为与龙头台积电的技术差距10年以上。 晶圆制造在众多环节里所要求的技术门槛最高，需长时期的人才和资金投入，难以短期内一蹴而就。 台积电为保持世界领先的技术水平，每年投入的研发经费超过100亿美元。 因此，晶圆制造是无止境的追赶战，但中国企业不能缺席，唯有以战养战，集中资源(合并优质企业)，扩大市场份额，创造更多收入，支撑长期的研发投放。
两年，超500亿灰飞烟灭！“芯骗”坑国的武汉弘芯们还在继续
文 | 特约张小星
| 浅夏
（ID：xsy-shangyecankao）
三年前，武汉弘芯成立，扬言投资1280亿研发芯片，欲比肩台积电，掀起一场轰轰烈烈的造芯运动；
三年后，烧完153亿元，武汉弘芯工程停滞，几近烂尾，分包商、工人被欠款后，投诉无门。
其幕后大股东从业经历与半导体无半点关系，竟撬动了千亿半导体项目，获得武汉政府垫资。
国内芯片产业似乎进入大跃进阶段，弘芯事件并非个例。 成都格芯、南京德科码、贵州华芯通、山西坤同半导体……不少半导体项目烧了巨款后，归于沉寂。
半导体是个回报周期长，资金需求量巨大的产业，只能稳中求进。 弘芯过后，国内造芯事业，再次迷航。
千亿项目弘芯停摆
中美博弈风口浪尖上，芯片国产化成了当务之急。 芯片风口下，国内芯片投机分子蠢蠢欲动，借机挥下镰刀。
近段时间，投资额高达1280亿元的武汉重点项目武汉弘芯曝出烂尾，事件引发 社会 高度关注。
2017年11月，武汉弘芯出世。 据介绍，该项目聚集了全球的半导体晶圆研发制造专家，拥有先进的逻辑工艺和晶圆级先进封装技术经验，未来预计建成14纳米和7纳米两条逻辑工艺生产线，月产量均达到每月3万片，且员工人数至少达到1000人规模。
要知道，现在能够实现7纳米芯片量产的企业只有台积电与三星， 武汉弘芯一上来就直接把自己定位在了全球第三的位置。
除此之外， 弘芯还请来了台积电创始人张忠谋的左膀右臂、台积电二号人物蒋尚义出任CEO。
在台积电多年任职期间，蒋尚义曾将研发团队从400人扩编至7600人，打造出世界级研发团队，引领台积电从技术追随者为技术领导者，是名副其实的行业大牛。
恰恰由于蒋尚义坐镇，不少台积电人才转向大陆。 去年以来，大陆从台积电挖走100多名经验丰富的工程师和管理人员，其中有一半去了武汉。
有国内媒体曾援引《日经亚洲评论》报道称， 弘芯提供的工资待遇超出想象，是台积电薪酬和奖励总金额的2~2.5倍 。
这一度让台积电十分紧张。
蒋尚义加持下，弘芯又购入了价值6亿元的EUV（极紫外线）光刻机，这个光刻机仅荷兰ASML才可以生产，台积电和三星的光刻机也都来自ASML。
EUV光刻机稀有昂贵，有消息表明中国仅购买了2台，武汉弘芯就成功拿下1台，这让它一时间晋为芯片界明星项目。
在2019年底ASML光刻机进厂仪式上，背景板上写着弘芯报国，梦圆中华。
2018年、2019年，武汉弘芯连续入选湖北省级重点建设项目，风光无限。
2020年4月武汉市发改委发布的《武汉市2020年市级重大在建项目计划》中，武汉弘芯半导体项目仍然以1280亿元的总投资额位列第一， 截至2019年底已完成投资153亿元，2020年计划投资87亿元。
但就在大家抱以无比期待的2年等待后，等来的却是弘芯的爆雷。
今年6月，媒体传出蒋尚义萌生退意，他对外回应的是公司是有些问题待解决。
紧接着，7月30日，一份来自武汉市区政府网站意外披露的消息，将武汉弘芯推至风口浪尖，网站中关于投资建设的报告显示， 武汉弘芯项目存在较大资金缺口，随时面临资金链断裂大致项目停滞风险。
该报告还指出，弘芯二期用地一直未完成土地调规和出让，项目缺少土地等材料，不能上报给国家发改委窗口指导，导致其他股权基金无法导入。
资金捉襟见肘，欠款丑闻甚嚣尘上。
武汉弘芯拖欠总包商武汉火炬建设集团有限公司数亿工程款，还拖欠了分包商武汉环宇基础建设公司4100万工程款。
被二者诉至法庭后，弘芯公司账户因此冻结，二期价值7530万元的土地使用权被法院裁定查封三年。 官司还在进行中。
针对此事，武汉弘芯去年11月公开声明，公司按期足额支付总承包商火炬集团工程款，而火炬集团与武汉环宇间属于内部结算纠纷。
至此，拖欠分包商工程款、工人工资，款项至今没有着落，武汉弘芯几近停摆，千亿项目灰飞烟灭。
其实，在爆雷之前，弘芯已有迹象，这直接体现在员工招聘和收入上。
去年起，网上网络贴吧和知乎上很多准员工称收到offer后，公司迟迟没有通知入职，现有员工公积金缴纳比例也从12%降至8%。
另外，有记者发现武汉弘芯作假，其购买并不是光刻机EUV，而是DUV（深紫外光）光刻机。
如今，这台光刻机在全新尚未启用的情况下，就以5.8亿抵押给了银行等着落灰。
而弘芯现有员工因为无法投入生产，只能每天坐在办公室写写PPT。
弘芯背后神秘丽影
回顾三年前武汉弘芯诞生之际，扬言要在国际芯片市场上弯道超车，凭借起步7nm工艺技术，一举比肩台积电。 眼前的弘芯壮志未酬，身先死。
弘芯幕后人物一直像影子般存在。 天眼查显示，武汉弘芯注册资本20亿元，目前实缴资本为2亿元。
这2亿元全部来自于持股10%的股东之一武汉临空港，武汉临空港的钱是武汉东西湖区国有资产监督管理局出的，也即国有资本。
而 持股90%、需提供18亿元的大股东北京光量蓝图 科技 有限公司实缴资本却为0。
20亿注册资本一分没出，空手套白狼。 在此之下，政府资金一旦烧完，资金链立刻崩溃。
北京光量蓝图非常神秘，公司成立于2017年11月2日，早于武汉弘芯半个月。 公司成立之初，龙伟、曹山均是分别任董事长和董事，在2019年1月两人从武汉弘芯董事名单中退出，之后李雪艳出任董事长、莫森进入董事。
据了解，曹山本身从事半导体行业，担任6家半导体公司法人、执行董事职务，布局半导体行业两年多时间。 由此看出，光量蓝图一开始具备从事半导体能力。
然而，当曹山退出后，光量蓝图成了名副其实的空壳公司。 李雪艳原先投资生态 科技 、买烧酒、办餐饮、盖园林，从业背景与半导体无半点联系，创办武汉弘芯前半个月创立了光量蓝图，项目至今未投入任何资金，一直在烧政府的钱。
而莫森则未查到任何与半导体有关的从业背景。
两个从未接触过半导体的人，竟然做了一千多亿的半导体项目，令人匪夷所思。
剥开迷雾，结合前文层层梳理，也即 李雪艳等人成立了空壳公司光量蓝图，再通过空壳公司拿到成都政府重点项目武汉弘芯，弘芯又通过总包商武汉火炬建设将债务和风险转移给了待贷款银行、分包商和供应商。
如此一来，他们不投资便获得一大笔收益。
去年7月和11月，光量蓝图因未及时公布年报和登记经营场所无法联系，被列入经营异常名录企业。
再看武汉弘芯，即便该公司股权结构清晰，细究之后也是疑窦重重 。 两位离开的关键人物中，曹山从业背景已介绍过，而龙伟实则是庆安贸易总经理、法人。
庆安贸易曾投资过成都海威华芯 科技 有限公司，早就开始布局芯片产业，武汉弘芯是其第二次投资人芯片项目。
公司在龙伟之前的投资人为刘亚苏，关于此人的相关新闻中常见军方背景，再加上庆安贸易名字与军工企业庆安集团高度关联，可见庆安贸易并不简单。
烂尾消息曝出，被寄予厚望的民族企业瞬间成了骗局，政府、承包商、供应商、工程师、员工惨遭重击。 让人唏嘘不已。
国内半导体大跃进
中国的芯片设计企业数量世界第一，实际设计水平也达到世界第二名。 但制造是短板，很多材料全部依赖进口。
2019年，中国芯片进口额高达3040亿美元，远超排名第二的原油进口额。
经历过华为、中兴事件后，中国未来加大芯片领域投入，除了相关免税政策外，还牵头创办实验室，很多大基金趋之若鹜。
中科院表示，美国卡脖子清单变成科研任务，将进行全面布局。 在此背景下，若中国芯片能崛起，可谓是涅槃重生。
但资本家们纷至沓来，引起的却是大量企业在全国各地画大饼、投资圈钱圈地，地方政府忽视项目真实情况，虚假项目大行其道，爆雷事件接踵而至。
记者采访了行业观察者张昊（匿名），其表示一个未来存在很大机会的行业，肯定会引来很多人投资发展。
近两年，类似武汉弘芯爆雷事件的还有：
另据《瞭望》报道，在短短一年多时间里，分布于我国江苏、四川、湖北、贵州、陕西等 5 省的6 个百亿级半导体大项目先后停摆。“芯骗”坑国的武汉弘芯们还在继续……
国内造芯事业屡屡遇阻，张昊表示，其实多年前也有过很多类似的失败案例，只是近期发生的事件频频被爆出，才感觉很多。
针对这些被看做骗局的半导体项目，一些项目一开始想得过于远大，中途发现做芯片难度太大，自身研发能力不足，最后做不下去了。 从而演变成骗局。
半导体及其耗资且回报周期长，需要一代人二三十年沉下心做研究，国内第一芯片代工厂中芯国际，苦熬20年才实现14nm工艺产量，新生代企业挑战7nm工艺，谈何容易；中科院换道 探索 20年研发出碳基芯片也绝非一蹴而就。
反观国内投资，多数追求短期回报，一些项目借此大肆圈钱。
还有一种情况，项目方根本没有做好准备，想利用政府资源整合，获得融资发展机会，到最后发现做不下去了。 还有一种可能， 或许从最初就是一场骗局。
数据显示，中国在2019年仅本土生产了其国内使用所需半导体的16％，可见，距离实现半导体行业的自给自足和全球领导地位的目标还很遥远。
动辄以十年计算回报周期的芯片行业，单靠政府土地优惠政策远远不够，企业在没有盈利前，活下去才是战略重点。
