电磁波在穿过屏蔽体是发生衰减是因为能量有了损耗，这种损耗可以分成两个部分：反射损耗和吸收损耗。
反射损耗：当电磁波入射到不同媒质的分界面时，就会发生反射，使穿过界面的电磁能量减弱。
由于反射现象而造成的电磁能量损失称为反射损耗，用字母R表示。
当电磁波穿过一层屏蔽体时要经过两个界面，要发生两次反射。
因此，电磁波穿过屏蔽体时的反射损耗等于两个界面上的射损反耗总和。
反射损耗的计算公式如下：R=20lg(ZW/ZS) (dB) 式中: ZW= 入射电磁波的波阻抗 ，ZS=屏蔽材料的特性阻抗|ZS|=3.68×10-7（fμrσr）1/2式中: f= 入射电磁波的频率 ，μr=相对磁导率，σr=相对电导率吸收损耗：电磁波在屏蔽材料中传播时，会有一部分能量转换成热量，导致电磁能量损失，损失的这部分能量成为屏蔽材料的吸收损耗，用字母A表示，计算公式如下：A=3.34t（fμrσr）1/2 (dB)多次反射修正因子:电磁波在屏蔽体的第二个界面（穿出屏蔽体的界面）发生反射后，会再次传输到第一个界面，在第一个界面发射再次反射，而再次到达第二个界面，在这个界面会有一部分能量穿透界面，泄漏到空间。
这部分是额外泄漏的。
应该考虑进屏蔽效能的计算。
这就是多次反射修正因子，用字母B表示，大部分场合，B都可以忽略。
SE = R + A + B
电磁屏蔽技术的度量屏蔽性能的物理量——屏蔽效能
屏蔽体的有效性用屏蔽效能（SE）来度量。
屏蔽效能的定义如下：SE=20lg(E1/E2) (dB)式中：E1 =没有屏蔽时的场强 E2 =有屏蔽时的场强如果屏蔽效能计算中使用的是磁场强度，则称为磁场屏蔽效能，如果屏蔽效能计算中使用的是电场强度，则称为电场屏蔽效能。
屏蔽效能的单位是分贝(dB)，下表是衰减量与分贝的对应关系：屏蔽前屏蔽后衰减量屏蔽效能10.190%20dB10.0199%40dB10..9%60dB10..99%80dB10..999%100dB一般民用产品机箱的屏蔽效能在40dB以下，军用设备机箱的屏蔽效能一般要达到60dB，TEMPEST设备的屏蔽机箱屏蔽效能要达到80dB以上。
屏蔽室或屏蔽舱等往往要达到100dB。
100dB以上的屏蔽体是很难制造的，成本也很高。
电磁屏蔽的屏蔽效能
屏蔽体的屏蔽技能可用屏蔽系数或屏蔽衰减来表示。
在空间防护区内，有屏蔽体存在时的场强（E0或H0）与无屏蔽体存在时的场强（E或H）的比值，即E0/H0或H0/H就称为屏蔽系数。
屏蔽系数愈小，说明屏蔽效果愈好。
屏蔽效果也可用屏蔽衰减来表示，屏蔽衰减代表干扰场强通过屏蔽体受到的衰减值。
屏蔽衰减可由或求得-单位分贝（dB）。
屏蔽衰减值越大，屏蔽效果越好。
